化合物および混晶半導体の結晶成長と酸化膜成長に関する研究
ラマン散乱による四元混晶半導体InGaAsPの組成ゆらぎに関する研究
レーザ照射MOMBE法によるⅢ-Ⅴ族化合物半導体の選択成長に関する研究
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体への不純物ドーピングメカニズムの研究
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体(I[n]P,I[n]Sb,G[a]A[s])におけるMIS構造の研究
液晶性有機半導体の創製と電気伝導に関する研究
半導体デバイスの静電気障害に関する研究
半導体レーザー励起小型固体レーザーに関する研究
組成傾斜原料を用いた均一高In組成化合物半導体混晶(InxGa1-xAs;X[=]0.2)単結晶育成に関する研究
混合材料の固液相変化に関する研究
Ⅲ-Ⅴ窒化物半導体の分子線結晶成長と評価に関する研究
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体ヘテロエピタキシーにおける貫通転位密度の低減および表面の平坦化に関する研究
高機能集積化半導体圧力センサに関する研究
化合物半導体の光弾性評価に関する研究
化合物半導体デバイス用ドライプロセス技術に関する研究
半導体レーザの光注入同期系に関する研究
高精度実時間半導体レーザ干渉計に関する研究
Ⅱ-Ⅳ族化合物半導体の低温エピタキシャル成長に関する研究
非晶質シリコン系半導体のキャリア輸送と局在準位に関する研究
化合物半導体の溶液成長過程に関する研究
放射光励起半導体素子作製プロセスに関する研究
強磁性半導体(Ga,Mn)Asヘテロ構造に関する研究
化合物半導体表面の再構成構造に関する研究
光波通信用半導体レーザの高性能化に関する研究
最終更新日:
登録日: 2020-12-17