Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体(I[n]P,I[n]Sb,G[a]A[s])におけるMIS構造の研究
レーザ照射MOMBE法によるⅢ-Ⅴ族化合物半導体の選択成長に関する研究
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体ヘテロエピタキシーにおける貫通転位密度の低減および表面の平坦化に関する研究
新しい3-5族混晶半導体材料に関する研究
三元化合物半導体・二硫化銅ガリウム中の亜鉛不純物の振舞い
化合物半導体の光弾性評価に関する研究
Ⅱ-Ⅳ族化合物半導体の低温エピタキシャル成長に関する研究
Ⅲ-Ⅴ窒化物半導体の分子線結晶成長と評価に関する研究
化合物半導体の溶液成長過程に関する研究
化合物半導体表面の再構成構造に関する研究
化合物半導体デバイス用ドライプロセス技術に関する研究
化合物半導体分子線エピタキシ装置の開発に関する研究
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体薄膜中の希土類原子に関する低温電子スピン共鳴測定による研究
フォトルミネセンス法および光伝導法によるⅠ-Ⅲ-Ⅵ[2]族化合物半導体の光物性評価
コールドエレクトロニクス半導体集積回路の研究
分子線エピタキシーによる化合物半導体ヘテロ接合の構造制御に関する研究 : As系化合物半導体量子ドットの作製とデバイス応用、ならびにTe系化合物半導体ヘテロ接合の作製と特性評価
化合物および混晶半導体の結晶成長と酸化膜成長に関する研究
化合物半導体薄膜の結晶成長と光学的・電気的特性に関する研究
化合物半導体表面超格子における電子波干渉に関する研究
半導体デバイスの静電気障害に関する研究
半導体レーザの光注入同期系に関する研究
化合物半導体ヘテロ接合を用いた移動体通信末端用高出力FETに関する研究
半導体光触媒を用いた固体高分子および生体高分子の光酸化メカニズムに関する研究
Ⅳ族半導体超微粒子の構造と光学的性質に関する研究
最終更新日:
登録日: 2020-12-17