680nm帯AlGaInP系可視光半導体レーザの信頼性に関する研究

License: In Copyright
Time
Owner Organization

More Like This

MOMBE法によるInP系化合物半導体の結晶成長と2μm帯レーザへの応用に関する研究

MOMBE法によるInP系化合物半導体の結晶成長と2μm帯レーザへの応用に関する研究

Bi系高温超伝導体の積層エピタキシャル薄膜の特性研究

Bi系高温超伝導体の積層エピタキシャル薄膜の特性研究

Ag-109 NMRによるAgⅠ系高イオン伝導性ガラスの研究

Ag-109 NMRによるAgⅠ系高イオン伝導性ガラスの研究

InAs系高移動度半導体の電子輸送特性ならびに超伝導接合への応用に関する研究

InAs系高移動度半導体の電子輸送特性ならびに超伝導接合への応用に関する研究

Y-Ba-Cu-O系複合超伝導体の機械的性質と超伝導特性

Y-Ba-Cu-O系複合超伝導体の機械的性質と超伝導特性

SiCセラミックスの半導体物性とサーミスタの設計

SiCセラミックスの半導体物性とサーミスタの設計

YAGレーザによるセラミックス基板への導体膜の形成に関する研究

YAGレーザによるセラミックス基板への導体膜の形成に関する研究

Si基板上Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体の結晶成長とレーザへの応用に関する研究

Si基板上Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体の結晶成長とレーザへの応用に関する研究

動物性細胞への遺伝子導入と導入遺伝子の発現状況の可視化に関する研究

動物性細胞への遺伝子導入と導入遺伝子の発現状況の可視化に関する研究

Bi系酸化物超伝導体の異方性制御と輸送特性

Bi系酸化物超伝導体の異方性制御と輸送特性

ZnO系薄膜の電気的光学的特性に関する研究

ZnO系薄膜の電気的光学的特性に関する研究

CuGaS2の励起子系および非線形光学特性の研究

CuGaS2の励起子系および非線形光学特性の研究

PBI(Parental Bonding Instrument)日本版の信頼性、妥当性に関する研究

PBI(Parental Bonding Instrument)日本版の信頼性、妥当性に関する研究

Si系光検出用材料の耐放射線性に関する研究

Si系光検出用材料の耐放射線性に関する研究

GaAs系導波路型光集積デバイスとその作製プロセスに関する研究

GaAs系導波路型光集積デバイスとその作製プロセスに関する研究

Bi系銅酸化物超伝導体への元素添加と特性改善に関する研究

Bi系銅酸化物超伝導体への元素添加と特性改善に関する研究

Kouha tsuushinyou handoutai rēza no kouseinouka ni kansuru kenkyuu

Kouha tsuushinyou handoutai rēza no kouseinouka ni kansuru kenkyuu

Bi系およびY系銅酸化物高温超伝導体の高酸素圧合成と構造・物性の微視的評価

Bi系およびY系銅酸化物高温超伝導体の高酸素圧合成と構造・物性の微視的評価

Au-SiおよびCdTeを用いた半導体検出器とその物性に関する研究

Au-SiおよびCdTeを用いた半導体検出器とその物性に関する研究

FORMに基づく構造信頼性解析法に関する研究

FORMに基づく構造信頼性解析法に関する研究

Si基板上化合物半導体の高品質化に関する研究

Si基板上化合物半導体の高品質化に関する研究

GaN系発光ダイオードに関する研究 : 紫外から赤色領域で発光するInGaN・LEDの作成および発光特性

GaN系発光ダイオードに関する研究 : 紫外から赤色領域で発光するInGaN・LEDの作成および発光特性

Femtosecond UV-VIS Absorption Studies of Retinal(フェムト秒時間分解紫外・可視吸収分光によるレチナールの研究)

Femtosecond UV-VIS Absorption Studies of Retinal(フェムト秒時間分解紫外・可視吸収分光によるレチナールの研究)

Si及びSiO[2]基板上の半導体結晶成長とデバイス応用に関する研究

Si及びSiO[2]基板上の半導体結晶成長とデバイス応用に関する研究

Last Updated:

Uploaded: 2020-12-17